カバーピクチャー / ACS nano : Volume 19, Issue 5 / February 11 2025

https://pubs.acs.org/toc/ancac3/19/5

Abstract

本研究では、単一のファンデルワールス強誘電体電界効果トランジスタ（vdW FeFET）を用いた、新しい再構成可能なシーケンシャルロジック・イン・メモリ（S-LiM）コンセプトを紹介する。このトランジスタは、2つの不揮発性状態においてシーケンシャルロジック演算を実行でき、コンパクトかつエネルギー効率に優れた設計により、エッジコンピューティングに大きな利点をもたらす。この特性により、vdW FeFETは、高性能かつ多機能性が求められるリソース制約のある環境において、次世代エッジコンピューティングデバイスの有望な候補となる。